0 - количество постов за последние 7 дней


Блог сети Maius.Ru


Подписка

Новости друзей

Спонсоры

На карты памяти втиснут 144 000 терабайт

Автор: |
Рубрики:
Новости, Память

Организация CompactFlash Association утвердила спецификацию стандарта для карт памяти CompactFlash 5.0. Основным отличием данной версии является переход от 28-битной адресации к 48-битной, благодаря чему специалисты смогут увеличить емкость карт памяти с 137 гигабайт до 144 петабайт — 144 000 терабайт.

flash-card.jpg

Несмотря на то, что современные технологии не в состоянии обеспечить производство носителей с подобным объемом, в планы ассоциации все же входит расширение рынка применения CompactFlash. Больше всего новые карты памяти будут востребованы среди профессиональных фотографов и кинодеятелей.

Еще одним достоинством стандарта CompactFlash 5.0 является наличие новых механизмов защиты информации (что также актуально для фото- и видеосъёмки). Благодаря использованию новых носителей исчезнет такое понятие как «выпавшие кадры» даже в случае видео высокого качества.

Дата появления первых карт памяти, соответствующих спецификации CompactFlash 5.0, в данный момент неизвестна.

Ссылки по теме:

CompactFlash 5.0 specification promises faster speeds, crazy 'theoretical' storage

VN:F
Rating: 0.0/10 (0 votes cast)

Популярность: 11%

Фазовые чипы памяти запустили в массовое производство

Автор: |
Рубрики:
Новости

Новые накопители информации, разработанные компанией Samsung Electronics, уже запустили в серийное производство.

Фазовый накопитель памяти Samsung
Карты памяти используют новую систему с изменением фазы PRAM, которая позволяет сохранять информацию путем затвердевания микроскопических кристаллов.

Новый алгоритм запоминания позволяет ускорить процесс записи на кристаллический накопитель в 7 раз, а стирание файлов происходит в 10 раз быстрее, чем на обычных флеш-картах.

Механизм записи ячеек предполагает переход полупроводниковых частиц из кристаллической фазы в аморфную и обратно, что обеспечивается электрическими импульсами.

Быстродействие PRAM, которая интерпретирует фазы как нули и единицы, зависит в первую очередь, от скорости перехода частиц из расплавленного состояния в кристаллизированное.

В ходе эксперимента с ячейками PRAM  размером 20 нанометров была получена скорость перехода в 16 наносекунд, что намного быстрее какой-либо технологии в мире. Как предполагают специалисты Samsung, использование системы PRAM в портативной электронике позволит увеличить время работы аккумуляторов на 20%.

VN:F
Rating: 0.0/10 (0 votes cast)

Популярность: 10%